11n90a参数

11N90 Datasheet (PDF) - Unisonic Technologies

11N90参数_晶体管元件查询_电子爱好者

耗散功率（PD）： 160 W. 漏极和源极电压（V DSS）： 900 V. 漏极和源极通态电阻（R DS (on)）： 1.1 Ω. 封装： TO-220.

FQA11N90 / FQA11N90_F109 900V N-Channel MOSFET

2015年6月29日 · 11.4 A, 900 V, RDS(on) = 960 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary …

ssh11n90A概述参数_中文资料_引脚图-维库电子市场网

2025年8月13日 · 参数 类型：N沟道增强型MOSFET 最大漏极电压（VDSS）：900V 最大栅极电压（VGSS）：±30V 最大漏极电流（ID）：11A（在25°C） 导通电阻（RDS (on)）：典型值约为0.55Ω …

11N90 MOSFET Transistor Specification & Datasheet

The 11N90 is a N-Channel metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) is the most common type of field-effect transistor (FET). This transistor has a three-terminal device with Gate (G), …

FQA11N90 Datasheet: MOSFET, N-Ch, 900V, 11.4A. Full …

Our guide shows you how to find a perfect substitute by comparing key parameters and specs.

11N90 数据表 (PDF) - Unisonic Technologies

功能描述: 11 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET. 制造商: Unisonic Technologies.

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2024年1月25日 · This technology specializes in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avalanche and commutation …

FQA11N90 900V N-Channel MOSFET - Farnell

2010年4月30日 · These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been …

FQA11N90 Datasheet (PDF) - Fairchild …