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场效应管 (MOSFET) 2N6661由MICROCHIP (美国微芯)设计生产,立创商城现货销售,正品保证,参考价格¥156.63,封装为TO-5-3。 商城还提供2N6661专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图,典型应用图,Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。
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场效应管 (MOSFET) 2N6661由MICROCHIP (美国微芯)设计生产,立创商城现货销售,正品保证,参考价格¥156.63,封装为TO-5-3。 商城还提供2N6661专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图,典型应用图,Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。
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2N6661 Microchip MOS管芯片中文资料PDF, 共 (3)页, 2N6661数据手册有芯片封装TO-39-3引脚图及功能定义和参数资料, 晶体管, MOSFET, 垂直DMOS FET, N沟道, 1.5 A, 90 V, 4 ohm, 10 V, 2 V。
2N6661 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabiliti...
2N6661 MOSFET specs: N-Ch/90V/0.9A. View the complete datasheet, pin configuration, and find equivalent or replacement transistors.
Part #: 2N6661. Download. File Size: 46Kbytes. Page: 4 Pages. Description: N-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETS. Manufacturer: Vishay Siliconix.
Vishay: 2N6661-E3 2N6661-2 2N6661 2N6661JTX02 2N6661JTVP02 2N6661JAN02 2N6661JTXP02 2N6661JTXL02 2N6661JTXV02
Jul 16, 2025 · 2N6661是一种双极型晶体管(BJT),通常用于音频放大器和其他低噪声应用中。 该器件属于NPN型晶体管,具有较低的噪声系数和较高的增益带宽乘积,非常适合用作前置放大器或射频电路中的增益级。
元器件型号为2N6661的类别属于分立半导体晶体管,它的生产商为VPT Inc。 官网给的元器件描述为......点击查看更多
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