MMBT5551 (RANGE:200-300)中文资料_最新报价_数据手册下载_CJ (江苏长...
MMBT5551(RANGE:200-300)三极管(BJT),CJ(江苏长电/长晶)原厂出品,集电极电流(Ic)600mA,集射极击穿电压(Vceo)160V,直流电流增益(hFE)200 ...
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MMBT5551(RANGE:200-300)三极管(BJT),CJ(江苏长电/长晶)原厂出品,集电极电流(Ic)600mA,集射极击穿电压(Vceo)160V,直流电流增益(hFE)200 ...
This device is designed for general−purpose high−voltage amplifiers and gas discharge display drivers.
Part #: MMBT5551. Download. File Size: 97Kbytes. Page: 6 Pages. Description: High Voltage Transistors. Manufacturer: ON Semiconductor.
Absolute Maximum Ratings(2) Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to thes...
Dec 24, 2023 · MMBT5551是一款NPN型双极晶体三极管,采用SOT-23封装,适用于各种电子电路中。 以下是MMBT5551三极管的一些主要参数: 1. 极性:NPN型 2. 集电极-基极电压(Vcbo):160V 3. 集电极-发射极电压(Vceo):160V
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Jun 6, 2024 · MMBT5551是一款广泛应用于各种电子电路中的NPN型双极晶体三极管。 其优秀的性能参数和灵活的应用特性使得它成为工程师们在设计电路时的首选。 本文将详细解读MMBT5551的资料手册,包括其特性、应用、封装、引脚功能、电气参数以及替换型号推荐等关键信息。