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先进封装四要素之一Bump是什么？ - 知乎
它是在芯片表面制作的小凸起，一般只有几十到几百微米大小，主要作用是提供芯片与其他电子元件之间的电气连接，从倒装焊 FlipChip 出现就开始普遍应用了，Bump的形状也有多种，最常见的为球状和柱状，也有块状等其他形状。
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简单的封装知识 RDL，TSV， Bump，Wafer-CSDN博客
说起 传统封装，大家都会想到日月光ASE，安靠Amkor，长电JCET，华天HT，通富微电TF等这些封装大厂OSAT；说起 先进封装，当今业界风头最盛的却是台积电TSMC，英特尔Intel，三星SAMSUNG等这些顶尖的半导体晶圆厂IC Foundry，这是为何呢？ 如果你认为这些半导体晶圆大佬们似乎显得有些"不务正业"？那你就大错特错了！ 传统封装的功能主要在于 芯片保护、尺度放大、 电气连接三项功能，先进封装和SiP在此基础上...
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先进封装四要素介绍_Bump_芯片_FlipChip - 搜狐
Jul 15, 2025 · 随着工艺技术发展，Bump尺寸越来越小：Bump的发展趋势是尺寸不断缩小，从球栅阵列焊球（BGA ball），其直径范围通常在0.25-0.76mm，到倒装凸点（FC Bump），也被称为可控塌陷芯片焊点（C4 solder joint），其直径范围通常在100-150μm。
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先进封装厂关于Bump尺寸的管控 - 电子发烧友网
Sep 6, 2023 · 随着工艺技术的发展，Bump的尺寸也变得越来越小,从最初 Standard FlipChip的100um发展到现在最小的5um。 伴随着工艺技术的高速发展，对于Bump的量测要求也不断提高，需要把控长宽尺寸，高度均匀性，亚纳米级粗糙度、三维形貌等指标。
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凸块 (Bump)|江苏中科智芯集成科技有限公司
凸块 (Bump) 晶圆凸块封装： 1P1M, Pillar on Pad w/ PI 2P2M, Pillar on RDL w/ PI 工艺能力 ： 晶圆尺寸 ：12 寸 介电材料 ：PI（聚酰亚胺）或PBO（聚对苯撑苯并二噁） 凸块下金属层：溅射钛/铜薄膜 重布线宽/线距：≥5 μm/5 μm 铜柱节距 ：≥ 40um 锡-银凸块间节距 ：≥150 μm
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半导体先进封装“Bumping（凸点）”工艺技术的详解；
随着工艺技术发展，Bumping工艺技术的发展趋势是尺寸不断缩小，从球栅阵列焊球（BGA ball），其直径范围通常在0.25-0.76mm，到倒装凸点（FC Bump），也被称为可控塌陷芯片焊点（C4 solder joint），其直径范围通常在100-150μm。
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微凸点技术 - 知识库 - 技术支持 - 广州先艺电子科技有限公司- 金锡焊...
Oct 13, 2021 · 在 3D 电子封装结构中为了完成芯片、转接板和基板之间的垂直互连，用到了三种不同尺寸的凸点：最大尺寸的球栅阵列焊球，其直径范围通常在 0.25-0.76 mm；中等尺寸的倒装凸点，其直径范围通常在 100-150μm；而最小尺寸的微凸点（micro bump），其直径可小至 2μm。