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Part #: H20R1203. Download. File Size: 800Kbytes. Page: 12 Pages. Description: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Manufacturer: Infineon Technologies AG.
型号： H20R1203 类型： 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 总耗散功率（Ptot）： 【管壳温度（Tc）＝25 ℃】 310 W 集电极电流（IC）： 【管壳温度（Tc）＝100 ℃】 20 A
Oct 24, 2023 · H20R1203 Datasheet PDF - 1200V, 20A, IGBT - Infineon, H20R1203 transistor, H20R1203 pinout, schematic, data, circuit, equivalent.
H20R1203 Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Infineon Technologies 'H20R1203' PDF (15 Pages 1.7 MB )
Part number H20R1203 by Infineon. File Size: 1.92 MB. Description: Reverse conducting IGBT. Download datasheet (PDF) and specifications.
H20R1203是一款常用的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。 • 参数方面： • 集电极-发射极电压（VCE）：其额定值为1200V，这意味着它能够承受较高的电压，可应用于一些对电压要求较高的电路中。
部件名: H20R1203. 功能描述: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. 文件大小: 800.28 Kbytes. 制造商: Infineon Technologies AG.
