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HFP8N60U MOSFET specs: N-Ch/600V/7.5A. View the complete datasheet, pin configuration, and find equivalent or replacement transistors.
电压 V 电流 A 型号： HFP8N60U 类型： N沟道场效应管 耗散功率（PD）： 【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W 漏极电流（ID）： 【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A 漏极和源极电压（V DSS）： 600 V 漏极和源极通态电阻（R DS (on)）： 1.2 Ω 封装：TO-220
Part #: HFP8N60U. Download. File Size: 202Kbytes. Page: 8 Pages. Description: Superior Avalanche Rugged Technology. Manufacturer: SemiHow Co.,Ltd..
Part number HFP8N60U by SemiHow. File Size: 198.04 KB. Description: N-Channel MOSFET. Download datasheet (PDF) and specifications.
需要注意的是，这些参数可能会因不同的厂商和型号而有所不同。 如果需要获取具体型号的HFP8N60U的详细参数，请查阅相关的数据手册。
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PublishTime：2022-06-10 PDF HFP8N60U 600V N-Channel MOSFET.pdf Download | Preview 197 KB FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances...
HFP8N60U: 600V N-Channel MOSFET This document provides specifications for an N-channel MOSFET device called the HFP8N60U.
HFP8N60U 600V N-Channel MOSFET Symbol Parameter Value Units V DSS Drain-Source Voltage 600 V I D Drain Current – Continuous (T C = 25 ) 7.5 A Drain Current – Continuous (T C = 100 ) 4.7 A I DM Drain Current – Pulsed (...
PD最大34.5W，ID最大6.5A，漏源耐压600V，内阻1.35Ω，导通电流3.25A，栅压10V，开启电压3-5V，开启电流250μA，参数拉满，稳了！
