scout.yahoo.com
Yahoo Scout
Yahoo Scout
hooge公式
Searching…
Web results
www.sciencedirect.com
An alternative form of Hooge's relation for 1/f noise in ...
Apr 24, 2019 · There are several approaches for interpreting 1/f noise in semiconductor materials: McWorther [6] assumes that traps are uniformly distributed through an oxide layer; this leads to a superposition of th...
arxiv.org
1_f noise due to mobile defects - arXiv.org
We also suggest an alternative form of Hooge’s 1/f noise formula relating the 1/f noise to the number of centers (such as donor or trap atoms) rather than to the number of charge carriers as defined by Hooge. Keywords...
ieeexplore.ieee.org
How useful is Hooge's empirical relation - IEEE Xplore
Hooge's relation implies that 1/f noise is a bulk effect. The normalized noise in films for bias, frequency and unit area as Cus [cm2] is proportional to the sheet resistance Rsh [Ω]. The proportionality factor K [cm2...
wenku.baidu.com
hooge参数 - 百度文库
hooge参数 Hooge参数是表征材料或器件低频噪声特性的一个重要参数，它定义为： αH=\frac {N_f} {N}\cdot\frac {S_I} {I^2}\cdot f^γ 其中： 1．αH：Hooge参数 2．N_f：缺陷密度 3．N：载流子密度 4．S_I：噪声功率谱密度 5．I：电流ห้องสมุดไป่ตู้ 6．f：频率 7．γ：指数，通常接近于1 Hooge参数反映了 ...
yamanashi.repo.nii.ac.jp
論 GaAsの1 - 国立情報学研究所 / National Institute ...
を図一11に示す。 図一11において,比較的浅い部分と深い部分においては,αの値はHoogeのいう2×10-3に近い値となっているが,アクティブ層中央付近では,これより約2桁 1/fゆらぎの量は,式(1-1)におけるHoogeのαで大きいという� � 果になっている。表わす
www.x-mol.com
半导体材料中 1/f 噪声的 Hooge 关系的另一种形式,Physics Letters A ...
Apr 1, 2019 · 除了 g-r 噪声之外，我们还获得了可以以 Hooge 关系形式提供的 1/f 噪声。 预测的 Hooge 系数为 α H = α X α im，其中 α X 取决于 g-r 噪声的参数，而 α im 取决于间歇性的参数。 由于导通时间的幂律分布，系数 α im 显示出对时间 t 的平滑依赖性。
jglobal.jst.go.jp
Hoogeの1/f雑音公式の解釈 | 文献情報 | J-GLOBAL 科学技術総合リンク...
文献「Hoogeの1/f雑音公式の解釈」の詳細情報です。 J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンターは研究者、文献、特許などの情報をつなぐことで、異分野の知や意外な発見などを支援する新しいサービスです。 またJST内外の良質なコンテンツへ案内いたします。