hy4504的参数

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hy4504场效应管参数_百度文库

漏源电压(Vdss):它能承受的漏极和源极之间的最大电压是40V,如果超过这个电压,场效应管可能会被损坏。 连续漏极电流(Id)(25°C时):在25摄氏度的环境温度下,它的漏极能够 …

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HY4504 Datasheet, PDF - Alldatasheet

Description: N-Channel Enhancement Mode MOSFET. 7 Results. Part #: HY4504A. Datasheet: 637Kb/11P. Manufacturer: HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD..

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HY450 数据表, PDF - Alldatasheet

HY450 数据表. 部件名: HY4504. 数据表: 1MbKb/11P. 制造商: HOOYI SEMICONDUCTOR. 功能描述: N-Channel Enhancement Mode MOSFET. 7 Results. 部件名: HY4504A. 数据表: …