Searching…
IRF1010N is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 55 V, RDS (on) max: 11 mOhm, Package: TO-220, Technology: IR MOSFET™, ID max: 85 A
IRF1010N 是一款 N 沟道功率 MOSFET，其最大 VDS：55 V，最大 RDS (on)：11 mOhm，封装：TO-220，技术：IR MOSFET ™ ，最大 ID：85 A DesignSoft 的使命是开发高科技工程和教育模拟软 …
IRF1010N 数据手册Datasheet N沟道MOS管 International Rectifier 在线查看和下载 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N …
关于 International Rectifier 国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
2019年10月13日 · The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package …
Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, …
2025年12月26日 · IRF1010N是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及各类高电流开关场合。该器件采用先进的沟槽技术 …
PD - 91278 IRF1010N HEXFET® Power MOSFET l l l l l l Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche …
