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IRF7530 is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 20 V, RDS (on) max: 30 mOhm, Package: Micro8 (MO-187), Technology: IR MOSFET™, ID max: 5.4 A
IRFS7530-7P 是一款 60V N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET，具有 1.4mΩ RDS(on)，适用于电机驱动应用。查找数据表、参数和订购信息。
部件名: IRF7530. 下载. 文件大小: 83Kbytes. 页: 8 Pages. 功能描述: Power MOSFET (Vdss=20V, Rds (on)=0.030ohm). 制造商: International Rectifier. 制造商部件名数据表功能描述 International Rectifier …
当天下单，当天发货。来自 Infineon Technologies 的 IRF7530TR – MOSFET - 阵列 20V 5.4A 1.3W 表面贴装型 Micro8™。DigiKey 提供数以百万计电子元器件的定价和供应信息。 DigiKey 零件编号: IRF7530TR-ND-卷带（TR） 制造商产品编号: IRF7530TR 制造商: Infineon Technologies 描述: MOSFET 2N-CH 2...
今日訂購，今日出貨。Infineon Technologies 的 IRF7530TR – MOSFET - 陣列 20V 5.4A 1.3W 表面黏著式 Micro8™。DigiKey 提供數百萬款電子元件的價格及供貨情況。
IRF7530 IRF7530PBF IRF7530TRPBF ParametricIRF7530PackageMicro8 (MO-187)VDS max20.0VRDS (on) (@4.5V) max30.0mΩRDS (on) (@2.7V) max45.0mΩPolarityN+NPolarityN+NID …
New trench HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the …
IRF7530资料-1.51.00.510 2.0V DS = 15V 20µs PULSE WIDTH 3.5 4.0 2.5 3.0 4.50.0 -60 -40 -20VGS = 4.5V 0 20 40 60 80 100 120 140 160VGS , Gate-to-Source Voltage (V Conditions MOSFET symbol …
