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SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
碳化硅（SiC）的特点 金刚砂又名碳化硅（Silicon Carbide - SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅 (SiC) 由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用 ...
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知乎盐选 | 3.1 SiC 半导体材料的基本性质
SiC 独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构，最普通的是立方 3C，六角 4H 和 6H，菱方 15R。 这些多型结构以 Si-C 双原子为结构的基本单元，采用不同的堆垛方式排列而成，如图 3-1 所示 [1，2]。
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Accueil - La SIC
Siège de la SIC : 15 rue Guynemer - Quartier Latin - BP412 - 98845 Nouméa cedex Tél. 28 23 16 - Mail : [email protected] - Webmail
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功率器件中的硅基和SiC材料存在哪些显著差异？ - 知乎
3. Si IGBT和SiC MOSFET在车规使用中的可靠性有哪些区别？ 相对于Si，SiC的栅极氧化层挑战性更大，它的外在缺陷密度比Si高出3-4个数量级，它的可靠性决定了SiC的产品质量。相比于平面结构，垂直结构的栅极氧化层可以做的更厚，可以更有效的提升栅极氧化层的可靠性。
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碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有什么优势？ - 知乎
最后SiC还有一个重要的优势，就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V，以后的高压直流充电桩里面也是用的高压，在这些高压的应用里，以后SiC，特别是高压的1200V的碳化硅比硅会更有优势。
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为什么不用sic做igbt? - 知乎
SiC是一种宽禁带半导体材料，可以做到很高的耐压下芯片还很薄，而现在SiC的Mosfet可以做到6500V耐压，已经能覆盖现在的IGBT耐压水平了，且Mosfet的 芯片结构 比IGBT简单，所以 目前没有必要 用SiC来做IGBT 浪费成本。
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第三代半导体GaN和SiC，未来发展将会怎样？ - 知乎
先说结论，SiC最大优势在于高压领域，GaN最大优势在于高频领域， 在高压高功率领域，电力电子正转向SiC和GaN等宽禁带 (WBG)半导体器件。 （1）材料特性及器件种类： 要解释不同材料器件的区别，不得不从材料特性说起，
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碳化硅（SiC)芯片，指的是晶圆的沉底材料么？ - 知乎
SiC晶圆的晶型 硅化碳（Silicon Carbide，SiC）晶圆通常是单晶的，但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成，SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等，每种多晶形都有自己独特的性质。
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关于半导体碳化硅（Sic）外延工艺技术的详解；
一、碳化硅（Sic）外延的基本介绍 1、基本概念 在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。 碳化硅外延就是以碳化硅（SiC）单晶片为衬底，通过特定的工艺方法，在其表面生长出一层高质量的 ...